直擊SK海力士紐約敲鐘:納斯達克人潮如湧,現場擠爆了
作者:周艾琳,騰訊科技
編輯丨劉鵬
7月的紐約非同尋常,時代廣場人潮湧動。納斯達克市場中心門前,巨幅LED螢幕上,韓國SK海力士的藍色標誌與納斯達克的綠色光帶交織閃爍,在曼哈頓晨間的陽光下,亮得刺眼。
美國當地時間7月10日上午,「HBM之王」海力士正式登陸納斯達克。海力士是全球最大的內存半導體公司之一。公司專注於設計、製造和銷售先進的存儲半導體,包括DRAM(動態隨機存取存儲器)、NAND閃存以及用於人工智能(AI)的高帶寬內存(HBM)。而HBM則是當前AI生態中最為短缺的硬件環節。
此次美股發行獲七倍超額認購,籌資規模265億美元,僅次於上個月上市的SpaceX將成為全球第二大的股票發行。今年第二季度的財報顯示,海力士的單季度淨利潤高達40.35萬億韓元(約273億美元),同比+398%,環比+165%。要知道,英偉達一季度的淨利潤也不過約190億美元。一家賣全球最貴GPU的公司,單季淨利反而不及海力士。
某現場的海力士員工對騰訊財經表示,「我專程休假飛往紐約參加這次上市儀式。」他笑稱,在韓國確實眾多年輕人都買入了存儲相關的槓桿ETF,大家都有一種FOMO(擔心錯過上漲行情)的情緒。
不過,經歷了存儲行業的不斷提價、公司股價大漲,近期存儲板塊顯然陷入盤整。究竟海力士的美股登陸是見頂信號,還是擴張的開始?這又對即將登陸A股(A-shares)的長鑫科技意味著什麼?
舊金山資管機構Inside Arbitrage創始人Asif Suria對騰訊財經表示,「海力士登陸納斯達克,顯然是希望借助當前有利的行業周期獲益。從需求端來看,存儲芯片仍然供不應求,我們已經看到這種供需緊張帶來的影響,例如蘋果提高了部分產品的售價。但股價通常會領先於基本面,因此目前存儲板塊的回調是健康的。我認為,至少到今年年底,這輪牛市的核心邏輯並沒有發生改變。但比起波動且槓桿複雜的韓國個股,我更傾向於通過持有美光科技來獲得存儲敞口。"
Nasdaq Marketsite海力士上市現場外的時代廣場 拍攝:周艾琳
01 AI時代的HBM霸主
在這輪AI超級周期之下,海力士的王者地位得以凸顯。
AI大模型和高性能計算(HPC)的爆發式增長,導致對高帶寬、大容量內存的需求激增。根據Gartner數據,2025年至2027年,整體內存半導體市場預計將以86.0%的複合年增長率(CAGR)擴張,到2027年規模將接近7480億美元。其中HBM增長尤為迅猛。
同時公司的DRAM和NAND產品的平均銷售價格也將大幅上漲。同時,行業正從以消費級需求為主,轉向以企業級和數據中心需求為主導,這為高端內存產品(如HBM、企業級SSD)帶來了持續的增長機會。
讓我們來看看海力士的行業地位和行業競爭格局:
行業地位:
- HBM領域:全球領導者。根據IDC數據,2026年第一季度,海力士在HBM市場的營收份額高達56.4%,位居全球第一。
- DRAM領域:全球第二。2026年第一季度市場份額為29.1%。
- NAND領域:全球第二。2026年第一季度市場份額為18.5%。
競爭格局:
- DRAM市場:高度集中,主要由三星電子(Samsung)、海力士和美光科技(Micron)三家公司主導。
- NAND市場:主要競爭者包括三星電子、鋼鐵(Kioxia)、海力士和西部數據(WesternDigital)。
- 壁壘:行業具有極高的技術和資本壁壘,新進入者難以在短期內構成威脅。
之所以海力士能維持高利潤,是因為HBM技術壁壘高企。海力士是HBM技術的先驅,2024年率先量產了HBM3E,2025年又成功研發出下一代HBM4。其掌握的TSV(矽通孔)封裝技術和MR-MUF(批量回流模壓底部填充)工藝是其核心護城河。HBM之所以關鍵,是因為它緩解了當高性能GPU的運算能力遠超傳統內存速度時所出現的「內存牆」問題。
製程技術方面,海力士也維持絕對優勢。例如,在DRAM領域,公司擁有1c代(第六代10nm級)製程技術;在NAND領域,正從238層向321層技術的高密度閃存產品過渡,不斷提升存儲密度和能效。隨著AI伺服器架構的不斷演進,CPU在系統中的作用日益重要,這意味著每個節點對伺服器DRAM的需求也隨之增加。
商業模式對於一家優秀的公司而言尤為關鍵。「雙輪驅動」是關鍵詞。公司一方面通過大規模生產標準內存芯片(如DDR5,SSD)獲取穩定現金流;另一方面通過定制化、高附加值的AI專用內存(如HBM,CMM)獲取超額利潤。
也正因為強大的造血能力。受益於內存漲價的產業上行周期,公司現金流充裕,能夠支撐巨額的資本開支(Capex)。在HBM高度緊缺背景下,公司的產能擴張決心也已經彰顯,這也是此次海力士登陸美國融資的主要目的之一。公司正在韓國永仁(Yongin)建設超大規模的半導體集群,並在清州(Cheongju)和美國印第安納州建設先進封裝廠,確保了未來5-10年的產能供給。
02 週期性之爭
存儲行業向來是強周期性行業。如今價值百萬美金的問題就在於------週期性何時回歸,以及股價何時會提前反應?近期韓國存儲板塊持續回調,這一問題又被推至風口浪尖。
AI伺服器中存儲價值占比高達40%,這是由於AI處理的token數量持續膨脹,DRAM容量需求隨之翻了近四倍,價格也隨著供不應求一路走高。與此同時,雲廠商與存儲廠商陸續簽訂長期供貨協議(LTA),主動熨平了過去大起大落的週期波動。至少在這兩年,傳統意義上的「存儲週期」已經基本消失。
「但這不代表週期永遠不回來。」富達國際亞太區首席投資策略總監Stuart Rumble此前對騰訊財經表示,歷史上每一輪科技基建浪潮,最終都會出現階段性的過度投入,存儲也不會例外。各大存儲公司正在擴產,但新增產能預計要到2028至2029年才會集中入市。資本市場向來提前12至18個月交易基本面變化------這意味著,產能壓力真正成為市場主題,可能是2027年的事。
即使強勁的盈利反而導致海力士的估值收縮(即變得更便宜了),但Asif Suria對騰訊財經表示,「估值倍數收縮實際上也可能是一個看空信號,因為對於週期股來說,往往是在行業週期見頂、盈利表現最好的時候,估值看起來反而最便宜。」
03 存儲板塊當前的三大核心爭議
針對近期存儲板塊的回調,摩根士丹利近期則指出了市場上的三大核心爭議:
爭議一:Meta出售算力,AI泡沫破裂了嗎?
市場上周流傳一則未經證實的消息:全球最大AI算力買家之一有意出售富餘計算資源。空頭的解讀顯而易見------如果超大規模雲廠商算力過剩,整個AI建設是否已供過於求?
摩根士丹利的判斷是:真正的答案要等二季度財報。
出售算力不等於過剩,更可能是雲廠商在優化資本回報率的商業行為。真正的判斷依據是:超大規模雲廠商在二季度財報中是否維持或上調資本開支------如果上調,存儲股將迎來極佳買入窗口;如果下調,過剩敘事將持續發酵。
同時,Token經濟學出現新變數:許多企業此前鼓勵員工儘量多消耗Token,但這導致IT預算超支,企業現在開始削減Token用量、轉向更便宜的替代模型------企業正在構建「編排層」:簡單查詢交給開源模型,複雜查詢才走旗艦模型。這意味著二季度AI供應鏈表現尚可,但下半年指引的不確定性正在上升。
爭議二:長期供貨協議(LTA)為何沒有推動估值重評?
存儲股簽訂LTA本應是重大利好,但股價反應平淡。摩根士丹利給出了直接解答:
市場是理性的------它記得歷史上LTA曾被重新談判,或最終迫使客戶接收不需要的庫存(類比新冠期間的模擬半導體公司)。市場對LTA的冷淡,本質上是對「AI需求的結構性」能否真正持續存在合理懷疑。摩根士丹利認為,當前存儲LTA確實具有結構性特徵(只要AI需求保持強勁),但盈利預期能否繼續超預期,是多頭面臨的最大不確定性。
爭議三:週期見頂還是週期延長?
摩根士丹利明確區分兩個概念:「變化速率見頂」≠「週期結束」。
問題在於,價格同比漲幅從一季度的100%以上,大幅收窄至三季度的個位數至低兩位數區間------這正是「變化速率見頂」的直觀體現。
如今,機構仍維持對存儲行業的長期看多立場,理由是2027年預期盈利增長35-40%,以及AI智能體的大規模普及浪潮。但短期內給出三條明確信號:
- 財報季前股價將繼續承壓,市場反應將取決於超大規模雲廠商如何解讀AI資本開支
- 板塊偏好:DRAM>傳統內存>>NAND,最不看好存儲模組製造商
- 倉位層面:歷史高位的多頭敞口在當前波動率環境下難以維持,已觀察到投資者開始分散倉位、佈局滯漲機會(如MLCC、半導體設備等)
04長鑫IPO「夢幻聯動」
一個登陸紐約納斯達克,一個衝擊上海科創板(STAR Market),海力士與長鑫科技兩大巨無霸的「夢幻聯動」引發關注。
長鑫科技將在7月16日啟動打新,屆時市值預計將超2萬億元。某中國頭部券商的半導體投行業務人士對騰訊財經表示,長鑫的盈利邏輯是坐收「HBM擠出紅利」------三星、海力士、美光將九成以上產能鎖死在高利潤HBM賽道,傳統DRAM出現結構性供給真空,直接結果是:DDR4、DDR5、LPDDR5等通用DRAM的有效供給出現斷崖式收縮------長鑫作為全球唯一專注通用DRAM的規模廠商,不是因為技術領先賺到錢,而是因為對手「抽身離場」賺到錢。這是一個典型的「別人打高端,我收低端溢價」的歷史性窗口。
三星、海力士宣布逐步退出DDR4生產,部分型號在2025年一個月內漲價近50%,全年累計漲幅逼近800%。TrendForce預測,2026年普通DRAM獲利有望超越HBM3e------這是歷史上第一次出現這種反轉。
圖為長鑫財務數據
摩根士丹利中國股票策略師王滢對騰訊財經表示,就市場擔心的流動性擠壓而言,優質巨無霸上市反而會積極推動散戶的參與度,憑藉旺盛的基本面和較大的流通盤吸引更多場外資金入市。此外,年初以來國家隊已賣出超過1500億美元對應規模的A股(A-shares)倉位,這部分資金完全有能力在短期IPO申購引起流動性波動時進場平抑市場波動。
亮眼的業績是長鑫當下的底氣。儘管尚不掌握HBM的話語權,但長鑫的財報依然炸裂,2025年毛利率同比跳升36個百分點,招股書直接說明原因是「DRAM產品銷售單價在2025年下半年以來持續上漲」:
- 2026年Q1單季淨利潤是2025年全年的5.7倍
- 2022-2025年營收複合增長率160.78%
- 公司原本預計2026-2027年才能盈利,實際提前一年以上
- 上半年指引:營收1100-1200億元,同比增長超6倍
短期(現在-2027年),長鑫無疑可以吃「風口的錢」,HBM擠出效應還在持續;中期(2027-2030年),公司則將賺國產替代的錢,中國是全球最大DRAM消費市場,但長鑫當前全球份額僅7.67%,在國內的滲透率也遠未飽和;長期(2030年以後),公司則需要賺高端存儲的錢。招股書明確寫出技術路線:先追通用DRAM,再攻HBM。募資295億元中,130億用於DRAM技術升級,90億用於前瞻技術研發------這是在為未來的HBM入局做產能和技術儲備。當然,這條路能不能走通,制裁牆、良率牆、封裝牆三座大山都還在。
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